專利/新品種名稱	用於改善短路及置入基座接觸端靜電退化具備基座閘極觸發的N型金氧半電晶體結構
專利字號	M462950
專利類別	新型專利
國別	國內
申請進度	已核准
作者順序	第一作者
申請日期	2013/01/07
啟用日期	2013/10/01
終止日期	2023/10/01
發照單位	經濟部智慧財產局
著作人	黃至堯