| 全部作者 | 黄至尧 |
|---|---|
| 作者顺序 | 第一作者 |
| 论文名称 | A Substrate-and-Gate Triggering NMOS Device for High ESD Reliability in Deep Submicrometer Technology |
| 刊物名称 | ADVANCES IN MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING |
| 出版日期 | 2013-12-01 |
| 全部作者 | 黄至尧 |
|---|---|
| 作者顺序 | 第一作者 |
| 论文名称 | A Substrate-and-Gate Triggering NMOS Device for High ESD Reliability in Deep Submicrometer Technology |
| 刊物名称 | ADVANCES IN MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING |
| 出版日期 | 2013-12-01 |
| 健行科技大学 Chien Hsin University of Science and Technology, No.229, Jianxing Rd., Zhongli Dist., Taoyuan City 320312, Taiwan(R.O.C.) 桃园市中坜区健行路229号 电话：03-4581196 健行科技大学 电子工程系 电资学院 7 楼 D729 室 分机5101 建议使用 1024*768 分辨率已达本站最佳浏览效果 意见反映信箱：etdept@uch.edu.tw |
 
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