专利/新品种名称	用于改善短路及置入基座接触端静电退化具备基座闸极触发的N型金氧半电晶体结构
专利字号	M462950
专利类别	新型专利
国别	国内
申请进度	已核准
作者顺序	第一作者
申请日期	2013/01/07
启用日期	2013/10/01
终止日期	2023/10/01
发照单位	经济部智慧财产局
着作人	黄至尧