| 全部作者 | 黃至堯 |
|---|---|
| 論文名稱 | 應力誘發界面陷阱與氧化層陷阱電荷對 High-K / Metal Gate Ge- pMOSFETs的退化影響 |
| 研討會名稱 | 第19屆台灣靜電放電防護技術暨可靠度技術研討會 |
| 舉行地點 | 中華民國台灣新竹 |
| 會議開始時間 | 2021-11-03 |
| 會議結束時間 | 2021-11-05 |
| 作者順序 | 第四(以上)作者 |
| 全部作者 | 黃至堯 |
|---|---|
| 論文名稱 | 應力誘發界面陷阱與氧化層陷阱電荷對 High-K / Metal Gate Ge- pMOSFETs的退化影響 |
| 研討會名稱 | 第19屆台灣靜電放電防護技術暨可靠度技術研討會 |
| 舉行地點 | 中華民國台灣新竹 |
| 會議開始時間 | 2021-11-03 |
| 會議結束時間 | 2021-11-05 |
| 作者順序 | 第四(以上)作者 |
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