| 第21届台湾静电放电防护技术暨可靠度技术研讨会 |
中华民国台湾新竹 |
主要次要型整合矽控整流器之双极电晶体静电防护电路 |
第一作者 |
2023.11.01 ~ 2023.11.03 |
| 第20届台湾静电放电防护技术暨可靠度技术研讨会 |
中华民国台湾新竹 |
硼掺杂氧化锌的陷阱能阶研究 |
第四(以上)作者 |
2022.11.02 ~ 2022.11.04 |
| 第19届台湾静电放电防护技术暨可靠度技术研讨会 |
中华民国台湾新竹 |
硼掺杂氧化锌薄膜电阻式内存特性研究 |
第四(以上)作者 |
2021.11.03 ~ 2021.11.05 |
| 第19届台湾静电放电防护技术暨可靠度技术研讨会 |
中华民国台湾新竹 |
应力诱发界面陷阱与氧化层陷阱电荷对 High-K / Metal Gate Ge- pMOSFETs的退化影响 |
第四(以上)作者 |
2021.11.03 ~ 2021.11.05 |
| 第 18 届台湾静电放电防护技术暨可靠度技术研讨会 |
中华民国新竹市 |
低电压触发内嵌浮接P型金氧半整合矽控整流之双极电晶体 |
第一作者 |
2019.11.06 ~ 2019.11.08 |
| 第 18 届台湾静电放电防护技术暨可靠度技术研讨会 |
中华民国新竹市 |
P型锗金氧半场效电晶体之研究 |
第四(以上)作者 |
2019.11.06 ~ 2019.11.08 |
| 第17届台湾静电放电防护技术暨可靠度技术研讨会 |
中华民国新竹市 |
P型锗金氧半电晶体具有二氧化铪闸极介电层之负偏压温度不穏定性 |
第三作者 |
2018.11.07 ~ 2018.11.09 |
| 16届台湾静电放电防护技术暨可靠度技术研讨会 |
中华民国新竹市 |
P型锗金氧半电晶体具有二氧化铪闸极介电层之负偏压温度不稳定性 |
第四(以上)作者 |
2017.11.01 ~ 2017.11.03 |
| 2017年24届国际积体电路物理/故障分析研讨会 |
大陆地区四川成都 |
Inserted Substrate Pickup Style with External Resistance in an ESD NMOS Transistor |
第一作者 |
2017.07.04 ~ 2017.07.07 |
| 第15届台湾静电放电防护技术暨可靠度技术研讨会 |
中华民国台湾省新竹市 |
Trap exploration and conductance quantization in phosphorus-doped zinc oxide films |
第四(以上)作者 |
2016.10.31 ~ 2016.11.02 |
| 第15届台湾静电放电防护技术暨可靠度技术研讨会 |
中华民国新竹市 |
N型金氧半静电元件中具备外接电阻的置入型基底接触点布局样态 |
第一作者 |
2016.10.31 ~ 2016.11.02 |
| 第14届台湾静电放电防护技术暨可靠度技术研讨会 |
中华民国新竹市交通大学 |
具有闸极二极管的高锁定免疫整合矽控整流器双极电晶体 |
第一作者 |
2015.11.02 ~ 2015.11.04 |
| 第14届台湾静电放电防护技术暨可靠度技术研讨会 |
中华民国新竹市交通大学 |
硼掺杂氧化锌薄膜电流传导机制与可靠度特性分析 |
第四(以上)作者 |
2015.11.02 ~ 2015.11.04 |
| 第13届台湾静电放电防护技术暨可靠度技术研讨会 |
中华民国新竹市 |
内嵌浮接P型金氧半电晶体之整合矽控整流器双极电晶体的静电与锁定性能最佳化 |
第一作者 |
2014.11.03 ~ 2014.11.05 |
| 第13届台湾静电放电防护技术暨可靠度技术研讨会 |
中华民国新竹市 |
Resistive switching and device reliability in ZnO-based nonvolatile memory devices |
第二作者 |
2014.11.03 ~ 2014.11.05 |
| 第12届台湾静电放电防护技术暨可靠度技术研讨会 |
中华民国新竹市 |
深次微米制程中一个高锁定免疫的静电整合矽控整流器双极电晶体 |
第一作者 |
2013.11.04 ~ 2013.11.06 |
| 第12届台湾静电放电防护技术暨可靠度技术研讨会 |
中华民国新竹市 |
电阻式内存之组态转换循环容忍度特性 |
第四(以上)作者 |
2013.11.04 ~ 2013.11.06 |
| 20th International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits |
大陆地区江苏省苏州 |
A High Latchup - Immune ESD Protection SCR- Incorporated BJT in Deep Submicron Technology |
第一作者 |
2013.07.17 ~ 2013.07.19 |
| 2013 光电与通讯研讨会 |
中华民国桃园县中坜市 |
二阶段式名片交换方法 55-57 |
第二作者 |
2013.05.03 ~ 2013.05.03 |
| 第11届台湾静电放电防护技术暨可靠度技术研讨会 |
中华民国新竹市 |
A Substrate and Gate Triggering NMOS ESD Protection Device |
第一作者 |
2012.11.05 ~ 2012.11.07 |
| 第11届台湾静电放电防护技术暨可靠度技术研讨会 |
中华民国新竹市 |
氧化锌薄膜电阻转换之可靠度特性 |
第四(以上)作者 |
2012.11.05 ~ 2012.11.07 |
| 2011 Taiwan ESD and Reliability Conference |
台湾，中华民国Hsinchu |
高压制程中具有直流高保持电压整合矽控整流器的静电防护双极电晶体 |
第一作者 |
2011.10.31 ~ 2011.11.02 |
| 2011 Taiwan ESD and Reliability Conference |
台湾，中华民国Hsinchu |
0.18μm制程中静电防护之用具有NMOS开关整合矽控整流器之双极电晶体电路 |
第一作者 |
2011.10.31 ~ 2011.11.02 |
| 2011 Taiwan ESD and Reliability Conference |
台湾，中华民国Hsinchu |
氧化锌电阻式内存的电性量测与可靠度特性分析 |
第四作者 |
2011.10.31 ~ 2011.11.02 |
| 2011 Taiwan ESD and Reliability Conference |
台湾，中华民国Hsinchu |
氧化镁薄膜电阻式内存之电性研究与可靠度特性 |
第四作者 |
2011.10.31 ~ 2011.11.02 |
| 18th International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits |
韩国Songdo Convensia |
Reliability characterizations of resistive switching devices using zinc oxide thin film |
第四作者 |
2011.07.04 ~ 2011.07.07 |
| 18th International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits |
韩国Songdo Convensia |
Conduction mechanisms and reliability characteristics in MgO resistive switching memory devices |
第四作者 |
2011.07.04 ~ 2011.07.07 |
| 18th International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits |
韩国Songdo Convensia |
Reliability characteristics of cerium dioxide thin films |
第三作者 |
2011.07.04 ~ 2011.07.07 |
| The 23rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference |
JapanFukuoka |
Current Transportation and Reliability Characterization of CeO2 thin film |
第四作者 |
2010.11.09 ~ 2010.11.12 |
| 2010 Taiwan ESD and Reliability Conference |
TaiwanHsinchu |
静电防护N型金氧半场效电晶体之分布式短路与置入接触点布局设计 |
第一作者 |
2010.10.25 ~ 2010.10.27 |
| 铭传大学2010 国际学术研讨会 |
台湾，中华民国桃园县 |
埋藏矽控整流器之双极电晶体静电防护及锁定免疫的最佳化 |
第一作者 |
2010.03.12 ~ 2010.03.12 |
| 2009 Taiwan Electrostatic Discharge Conference |
台湾，中华民国新竹 |
高压制程中具有高静电防护及锁定免疫的埋藏矽控整流器之双极电晶体 |
第一作者 |
2009.10.26 ~ 2009.10.28 |
| IEEE 16th International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits |
NATCHN-中国大陆Suzhou |
A SCR-Buried BJT Device for Robust ESD Protection with High Latchup Immunity in High-Voltage Technology |
第一作者 |
2009.07.06 ~ 2009.07.10 |
| 16th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits |
ChinaSuzhou |
A SCR-Buried BJT Device for Robust ESD Protection with High Latchup Immunity in High-Voltage Technology |
第一作者 |
2009.07.06 ~ 2009.07.10 |
| 第七届微电子技术发展与应用研讨会 |
TaiwanKaoshiung |
A SCR-Buried BJT ESD Protection Circuit with Variable Holding Voltage in 0.18μm CMOS Technology |
第一作者 |
2009.05.22 ~ 2009.05.22 |
| 2009第七届微电子技术发展与应用研讨会 |
NATTWN-台湾，中华民国Kaoshiung |
A SCR-Buried BJT ESD Protection Circuit with Variable Holding Voltage in 0.18μm CMOS Technology |
第一作者 |
2009.05.22 ~ 2009.05.22 |
| The 7th Conference on Communication Applications |
TaiwanTaipei |
低噪声放大器设计应用于无线通讯 |
第二作者 |
2009.03.20 ~ 2009.03.20 |
| 2008 Taiwan ESD Conference |
NATTWN-台湾，中华民国新竹 |
Improvement of Inserted Substrate Pickup Layout Style in an ESD NMOS Device |
第一作者 |
2008.11.03 ~ 2008.11.05 |
| 第6届台湾静电放电防护技术研讨会 新竹 |
台湾，中华民国新竹 |
An RC-Invereter-Substrate-and-Gate-Triggering Design for NMOS ESD Protection Device |
第一作者 |
2007.11.05 ~ 2007.11.07 |
| 第五届台湾静电放电防护技术研讨会 |
台湾，中华民国新竹 |
A Substrate and Gate Triggering Design for NMOS ESD Protection Device |
第一作者 |
2006.11.06 ~ 2006.11.08 |
| 第四届台湾静电放电防护技术研讨会2005 Taiwan ESD Conference, Hsinchu Taiwan. |
台湾新竹 |
Influence of Substrate Pickup on ESD NMOS Robustness |
第一作者 |
2005.11.14 ~ 2005.11.16 |
