黃至堯
兼任教師
職稱 副教授
姓名 黃至堯
電子郵件 huangcy@uch.edu.tw
研究專長 半導體元件,可靠性物理,積體電路,靜電放電防護
實務專長 靜電放電閂鎖技術,產品可靠性分析,元件工程
最高學歷 交通大學 電子研究所 博士
計畫類別 類別 計畫名稱 起迄日期
政府學術研究計畫-國科會專題研究計畫 主持人 整合矽控整流器靜電防護元件電路的佈局設計以實現低電壓觸發技術 2023.08 ~ 2024.07
政府學術研究計畫-科技部專題研究計畫 主持人 實用的整合矽控整流器靜電防護元件電路發展 2019.08 ~ 2020.08
政府學術研究計畫-科技部專題研究計畫 主持人 金氧半電晶體與整合矽控整流器雙極電晶體的靜電防護元件電路之整體發展 2016.08 ~ 2017.07
企業產學計畫(含公營及私人企業) 主持人 無線積體電路的靜電故障分析與改善 2014.03 ~ 2015.02
政府-學術研究計畫 主持人 金氧半和整合矽控整流器之靜電元件電路的基座接觸和觸發設計開發(I) 2012.08 ~ 2013.07
政府學術研究計畫 主持人 N型金氧半及埋藏矽控整流器靜電防護元件電路之發展(I) 2009.08 ~ 2010.07
政府學術研究計畫 主持人 N型金氧半及埋藏矽控整流器靜電防護元件電路之發展(I) 2009.08 ~ 2010.07
企業產學計畫案(含公營及私人企業,不含委訓計畫) 主持人 射頻混合訊號積體電路的靜電防護技術發展 2009.07 ~ 2010.06
國科會案件 主持人 多指狀靜電 N 型金氧半元件中電流不均勻分佈之分析探討 2006.08 ~ 2007.07
國科會案件 主持人 液晶顯示器驅動積體電路中靜電防護電路的異常誤動作研究 2005.08 ~ 2006.07
刊物名稱 論文名稱 作者順序 出版日期
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability A Gated-Diode ESD SCR-Incorporated BJT for Reversed Floating P⁺ Junction Modulation 第一作者 2021/03
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES ESD and Latchup Optimization of an Embedded- Floating-pMOS SCR-Incorporated BJT 第一作者 2016/08
ADVANCES IN MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING A Split Island Layout Style of Butting/Inserted Substrate Pickups for NMOSFET ESD Reliability 第一作者 2015/09
電子月刊 深次微米製程中一個高鎖定免疫的靜電整合矽控整流器雙極電晶體 第一作者 2014/06
INTERNATIONAL JOURNAL OF NANOTECHNOLOGY Negative Resistance Characterization and Defective Trap Exploration in ZnO Nonvolatile Memory Devices 第二作者 2014/01
ADVANCES IN MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING A Substrate-and-Gate Triggering NMOS Device for High ESD Reliability in Deep Submicrometer Technology 第一作者 2013/12
電子月刊 一個基底與閘極共同觸發的N型金氧半靜電保護元件 第一作者 2013/06
IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY An SCR-Incorporated BJT Device for Robust ESD Protection with High Latchup Immunity in High-Voltage Technology 第一作者 2012/03
電子月刊 高壓製程中具有高靜電防護及鎖定免疫的埋藏矽控整流器之雙極電晶體 第一作者 2010/05
電子月刊 N型金氧半靜電元件置入型基底接觸點佈局樣態之改善 第一作者 2009/08
Journal of Ching-Yun University Improvement of Inserted Substrate Pickup Layout Style in an ESD NMOS Device 第一作者 2009/04
清雲學報 ANALYSIS OF ESD CURRENT NONUNIFORMITY IN A MULTI-FINGER NMOS DEVICE 第一作者 2006/09
電子月刊 基底接觸樣態對N型金氧半場效電晶體靜電放電防護元件之影響 第一作者 2006/05
清雲學報 The Simulation Investigation of the Floating Anode SCR 第一作者 2006/03
Solid-State Electron Simulation Prediction of Electro-Thermal Behaviors of ESD N/PMOS Devices 第一作者 2005/12
Journal of Applied Physics Electron conduction mechanism and band diagram of sputter-deposited Al/ZrO2 /Si structure 第四作者 2005/02
研討會名稱 舉行地點 論文名稱 作者順序 起迄日期
第21屆台灣靜電放電防護技術暨可靠度技術研討會 中華民國台灣新竹 主要次要型整合矽控整流器之雙極電晶體靜電防護電路 第一作者 2023.11.01 ~ 2023.11.03
第20屆台灣靜電放電防護技術暨可靠度技術研討會 中華民國台灣新竹 硼摻雜氧化鋅的陷阱能階研究 第四(以上)作者 2022.11.02 ~ 2022.11.04
第19屆台灣靜電放電防護技術暨可靠度技術研討會 中華民國台灣新竹 硼摻雜氧化鋅薄膜電阻式記憶體特性研究 第四(以上)作者 2021.11.03 ~ 2021.11.05
第19屆台灣靜電放電防護技術暨可靠度技術研討會 中華民國台灣新竹 應力誘發界面陷阱與氧化層陷阱電荷對 High-K / Metal Gate Ge- pMOSFETs的退化影響 第四(以上)作者 2021.11.03 ~ 2021.11.05
第 18 屆台灣靜電放電防護技術暨可靠度技術研討會 中華民國新竹市 低電壓觸發內嵌浮接P型金氧半整合矽控整流之雙極電晶體 第一作者 2019.11.06 ~ 2019.11.08
第 18 屆台灣靜電放電防護技術暨可靠度技術研討會 中華民國新竹市 P型鍺金氧半場效電晶體之研究 第四(以上)作者 2019.11.06 ~ 2019.11.08
第17屆台灣靜電放電防護技術暨可靠度技術研討會 中華民國新竹市 P型鍺金氧半電晶體具有二氧化鉿閘極介電層之負偏壓溫度不穏定性 第三作者 2018.11.07 ~ 2018.11.09
16屆台灣靜電放電防護技術暨可靠度技術研討會 中華民國新竹市 P型鍺金氧半電晶體具有二氧化鉿閘極介電層之負偏壓溫度不穩定性 第四(以上)作者 2017.11.01 ~ 2017.11.03
2017年24屆國際積體電路物理/故障分析研討會 大陸地區四川成都 Inserted Substrate Pickup Style with External Resistance in an ESD NMOS Transistor 第一作者 2017.07.04 ~ 2017.07.07
第15屆台灣靜電放電防護技術暨可靠度技術研討會 中華民國台灣省新竹市 Trap exploration and conductance quantization in phosphorus-doped zinc oxide films 第四(以上)作者 2016.10.31 ~ 2016.11.02
第15屆台灣靜電放電防護技術暨可靠度技術研討會 中華民國新竹市 N型金氧半靜電元件中具備外接電阻的置入型基底接觸點佈局樣態 第一作者 2016.10.31 ~ 2016.11.02
第14屆台灣靜電放電防護技術暨可靠度技術研討會 中華民國新竹市交通大學 具有閘極二極體的高鎖定免疫整合矽控整流器雙極電晶體 第一作者 2015.11.02 ~ 2015.11.04
第14屆台灣靜電放電防護技術暨可靠度技術研討會 中華民國新竹市交通大學 硼摻雜氧化鋅薄膜電流傳導機制與可靠度特性分析 第四(以上)作者 2015.11.02 ~ 2015.11.04
第13屆台灣靜電放電防護技術暨可靠度技術研討會 中華民國新竹市 內嵌浮接P型金氧半電晶體之整合矽控整流器雙極電晶體的靜電與鎖定性能最佳化 第一作者 2014.11.03 ~ 2014.11.05
第13屆台灣靜電放電防護技術暨可靠度技術研討會 中華民國新竹市 Resistive switching and device reliability in ZnO-based nonvolatile memory devices 第二作者 2014.11.03 ~ 2014.11.05
第12屆台灣靜電放電防護技術暨可靠度技術研討會 中華民國新竹市 深次微米製程中一個高鎖定免疫的靜電整合矽控整流器雙極電晶體 第一作者 2013.11.04 ~ 2013.11.06
第12屆台灣靜電放電防護技術暨可靠度技術研討會 中華民國新竹市 電阻式記憶體之組態轉換循環容忍度特性 第四(以上)作者 2013.11.04 ~ 2013.11.06
20th International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits 大陸地區江蘇省蘇州 A High Latchup - Immune ESD Protection SCR- Incorporated BJT in Deep Submicron Technology 第一作者 2013.07.17 ~ 2013.07.19
2013 光電與通訊研討會 中華民國桃園縣中壢市 二階段式名片交換方法 55-57 第二作者 2013.05.03 ~ 2013.05.03
第11屆台灣靜電放電防護技術暨可靠度技術研討會 中華民國新竹市 A Substrate and Gate Triggering NMOS ESD Protection Device 第一作者 2012.11.05 ~ 2012.11.07
第11屆台灣靜電放電防護技術暨可靠度技術研討會 中華民國新竹市 氧化鋅薄膜電阻轉換之可靠度特性 第四(以上)作者 2012.11.05 ~ 2012.11.07
2011 Taiwan ESD and Reliability Conference 台灣,中華民國Hsinchu 高壓製程中具有直流高保持電壓整合矽控整流器的靜電防護雙極電晶體 第一作者 2011.10.31 ~ 2011.11.02
2011 Taiwan ESD and Reliability Conference 台灣,中華民國Hsinchu 0.18μm製程中靜電防護之用具有NMOS開關整合矽控整流器之雙極電晶體電路 第一作者 2011.10.31 ~ 2011.11.02
2011 Taiwan ESD and Reliability Conference 台灣,中華民國Hsinchu 氧化鋅電阻式記憶體的電性量測與可靠度特性分析 第四作者 2011.10.31 ~ 2011.11.02
2011 Taiwan ESD and Reliability Conference 台灣,中華民國Hsinchu 氧化鎂薄膜電阻式記憶體之電性研究與可靠度特性 第四作者 2011.10.31 ~ 2011.11.02
18th International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits 韓國Songdo Convensia Reliability characterizations of resistive switching devices using zinc oxide thin film 第四作者 2011.07.04 ~ 2011.07.07
18th International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits 韓國Songdo Convensia Conduction mechanisms and reliability characteristics in MgO resistive switching memory devices 第四作者 2011.07.04 ~ 2011.07.07
18th International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits 韓國Songdo Convensia Reliability characteristics of cerium dioxide thin films 第三作者 2011.07.04 ~ 2011.07.07
The 23rd International Microprocesses and Nanotechnology Conference JapanFukuoka Current Transportation and Reliability Characterization of CeO2 thin film 第四作者 2010.11.09 ~ 2010.11.12
2010 Taiwan ESD and Reliability Conference TaiwanHsinchu 靜電防護N型金氧半場效電晶體之分散式短路與置入接觸點佈局設計 第一作者 2010.10.25 ~ 2010.10.27
銘傳大學2010 國際學術研討會 台灣,中華民國桃園縣 埋藏矽控整流器之雙極電晶體靜電防護及鎖定免疫的最佳化 第一作者 2010.03.12 ~ 2010.03.12
2009 Taiwan Electrostatic Discharge Conference 台灣,中華民國新竹 高壓製程中具有高靜電防護及鎖定免疫的埋藏矽控整流器之雙極電晶體 第一作者 2009.10.26 ~ 2009.10.28
IEEE 16th International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits NATCHN-中國大陸Suzhou A SCR-Buried BJT Device for Robust ESD Protection with High Latchup Immunity in High-Voltage Technology 第一作者 2009.07.06 ~ 2009.07.10
16th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits ChinaSuzhou A SCR-Buried BJT Device for Robust ESD Protection with High Latchup Immunity in High-Voltage Technology 第一作者 2009.07.06 ~ 2009.07.10
第七屆微電子技術發展與應用研討會 TaiwanKaoshiung A SCR-Buried BJT ESD Protection Circuit with Variable Holding Voltage in 0.18μm CMOS Technology 第一作者 2009.05.22 ~ 2009.05.22
2009第七屆微電子技術發展與應用研討會 NATTWN-台灣,中華民國Kaoshiung A SCR-Buried BJT ESD Protection Circuit with Variable Holding Voltage in 0.18μm CMOS Technology 第一作者 2009.05.22 ~ 2009.05.22
The 7th Conference on Communication Applications TaiwanTaipei 低雜訊放大器設計應用於無線通訊 第二作者 2009.03.20 ~ 2009.03.20
2008 Taiwan ESD Conference NATTWN-台灣,中華民國新竹 Improvement of Inserted Substrate Pickup Layout Style in an ESD NMOS Device 第一作者 2008.11.03 ~ 2008.11.05
第6屆台灣靜電放電防護技術研討會 新竹 台灣,中華民國新竹 An RC-Invereter-Substrate-and-Gate-Triggering Design for NMOS ESD Protection Device 第一作者 2007.11.05 ~ 2007.11.07
第五屆台灣靜電放電防護技術研討會 台灣,中華民國新竹 A Substrate and Gate Triggering Design for NMOS ESD Protection Device 第一作者 2006.11.06 ~ 2006.11.08
第四屆台灣靜電放電防護技術研討會2005 Taiwan ESD Conference, Hsinchu Taiwan. 台灣新竹 Influence of Substrate Pickup on ESD NMOS Robustness 第一作者 2005.11.14 ~ 2005.11.16
類別 獲獎名稱 國別 頒獎機構 獲獎日期
獲全國性或國際性學術榮譽獎 最佳論文獎 中華民國 台灣靜電放電防護工程學會與ESD產學聯盟 2015/12/02
專利/新品種名稱 專利字號 專利類別 國別 申請進度 作者順序 申請日期 啟用日期 終止日期 發照單位
具基座外接電阻之靜電防護金氧半場效電晶體及其製造方法 I593078 發明專利 國內 已核准 第一作者 2016/05/28 2017/07/21 2036/08/30 經濟部智慧財產局
一種具有閘極化二極體的靜電放電防護元件 I585945 發明專利 國內 已核准 第一作者 2014/10/14 2017/06/01 2034/10/13 經濟部智慧財產局
用以防止靜電放電的基板觸發電子元件 I545720 發明專利 國內 已核准 第一作者 2014/10/14 2016/08/11 2034/10/13 經濟部智慧財產局
一具有N型金氧半電晶體觸發的靜電放電防護元件 I544605 發明專利 國內 已核准 第一作者 2014/10/14 2016/08/01 2034/10/13 經濟部智慧財產局
具備基座閘極觸發用於改善短路及置入基座接觸端靜電退化的N型金氧半電晶體結構 M509975 新型專利 國內 已核准 第一作者 2013/12/27 2015/10/01 2023/12/26 經濟部智慧財產局
用於改善短路及置入基座接觸端靜電退化具備基座閘極觸發的N型金氧半電晶體結構 M462950 新型專利 國內 已核准 第一作者 2013/01/07 2013/10/01 2023/10/01 經濟部智慧財產局
整合矽控整流器雙極電晶體電路 I474465 發明專利 國內 已核准 第一作者 2012/06/21 2015/02/21 2032/06/20 經濟部智慧財產局
0.18um製程中強健靜電防護之用具NMOS開關整合矽控整流器之雙極電晶體電路 I517346 發明專利 國內 已核准 第一作者 2011/09/08 2016/01/11 2031/09/07 經濟部智慧財產局
靜電防護結構 I449157 發明專利 國內 已核准 第一作者 2008/10/18 2014/08/11 2029/02/24 經濟部智慧財產局
發照單位 證照名稱
PlayRobot Inc Taiwan Arduino IoT Certified Engineer
台灣創新科技管理發展協會 IRA 智慧型機器人應用認證-中級using Arduino
PlayRobot inc. PARALLAX PYTHON BOE-BOT COMPONENT PROFESSIONAL
國家 學校名稱 系所 學位 期間
中華民國 交通大學 電子研究所 博士 1989.09 ~ 1994.10
中華民國 交通大學 電子研究所 碩士 1985.09 ~ 1987.06
中華民國 清華大學 電機系 學士 1981.09 ~ 1985.06
服務機關名稱 單位 職務 期間
健行科技大學 電子工程系 副教授 2012.08 ~ 迄今
清雲科技大學 電子工程系 副教授 2006.08 ~ 2012.07
清雲技術學院 電子工程系 助理教授 2002.08 ~ 2006.07
華邦電子 LOGIC元件二課 高級工程師 1998.09 ~ 2002.09
台灣茂矽電子股份有限公司 技術開發部 資深工程師 1995.05 ~ 1998.10